工艺方案

如何通过TEM助力化合物半导体及显示技术的良率提升及研发

时间:2022-10-10 15:22 作者:小编 分享到:

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近两年手机快充和新能源汽车超充的应用和普及大大改变了人们使用手机的习惯和出行的方式,避免电量焦虑并且绿色出行,第三代半导体对此起到了决定性的作用,它被认为是半导体领域的新赛道,国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。



化合物半导体包含了第二代和第三代半导体,它是由两种及以上元素构成的半导体材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,因其在高功率、高频率等方面特有的优势,在信息通讯、光电应用以及新能源汽车等产业中有着不可替代的地位。

在通讯领域,2G、3G 和 4G 等时代 PA 主要材料是第二代半导体材料GaAs,但是进入 5G时代以后,主要材料是GaN。由于5G 的频率较高,毫米波对于功率的要求非常高,而GaN 具有体积小功率大的特性,是目前最适合5G时代的PA材料。SiC和GaN等第三代半导体将更能适应未来的应用需求。

TEM作为分辨率最高的电子显微镜,在常规硅基半导体芯片的失效分析等应用中起到至关重要的作用,那么在化合物半导体和显示领域中有哪些应用?

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本报告着重介绍TEM的基本原理,并结合实际案例展示透射电子显微镜如何在化合物半导体(SiC/GaN/InGaAs)及显示领域(OLED,MicroLED etc.)助力客户提高良率、改进性能。




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