闪存龙头 SanDisk 在 11 月大幅上调 NAND 闪存合约价，涨幅高达 50%，这一幅度远超业界此前预期的 5% 至 10%，并迅速引发整个存储供应链震动。值得注意的是，这是 SanDisk 年内第三次调价。早在 4 月，其已宣布全系列产品涨价 10%，9 月面向渠道与消费类产品又进行一次 10% 的普涨，等同于率先点燃了新一轮存储涨价周期，也促使美光等主要企业跟进。此次突然拉高至 50% 的幅度，意味着市场供需关系正在急速变化，供应端压力显著加剧。
    涨价消息公布后，创见、宜鼎国际与宇瞻科技等模组厂立即暂停报价和出货，开始重新评估产品定价。创见甚至自 11 月 7 日起全面暂停报价，理由是价格并未稳定且“后续仍有上行可能”。市场共识逐渐形成，即存储价格短期难以回落，涨势不仅会持续，还可能进一步扩大。
    从本质来看，此轮涨价已经不是传统意义上依靠厂商减产的周期性反弹，而是由人工智能算力需求驱动的结构性变化。随着 AI 模型训练与推理规模持续扩大，用于 GPU 与加速卡的 HBM、高速 DDR5 及高端 NAND 日益成为晶圆厂的利润焦点，产能因此向高利润产品集中。结果是原本仍在大量使用的 DDR4、通用 SSD、工业与嵌入式存储等被挤压，形成“高端不缺、主流反而短缺”的局面，价格自然持续抬升。
    这一趋势直接体现到模组厂的财报上。Transcend 第三季度营收同比增长 63%，毛利率达到 45%，净利润同比大增 334%；Innodisk 同期营收同比增长 64%，净利润增长近 250%；Apacer 营收同比增长 70%。三家公司均指出，由于晶圆厂优先保障 AI 服务器与高性能计算相关的 DRAM、HBM 和高规格存储产品，老款型号与主流规格供应持续紧张，带动整体价格上行，利润随之大幅扩大。
    与此同时，DRAM 价格也在快速上升。根据 CTEE 报告，DRAM 价格同比大幅上涨 171.8%，不仅影响数据中心设备采购，也直接冲击个人电脑与消费电子市场。目前三星和 SK 海力士的订单履约率仅约 70%，不少云服务商的安全库存已经被透支。DDR5 现货价格在过去六周内几乎翻倍，一些模块厂不得不在利润几乎被挤压殆尽的情况下被迫以更高成本采购。更具压力的是，中小型 OEM 在 2026 年一季度的订单交付率可能仅剩 35% 至 40%，这不仅意味着缺货，还可能导致整机厂延迟新品上市甚至暂停生产线。
    从整体趋势判断，当前存储市场价格上涨动力并未消退。AI 对算力和带宽的需求仍在持续扩大，晶圆扩产需要时间，存储厂商在利润高位时没有动力主动降价，且明后两年 HBM3E、DDR6、PCIe Gen6 等新周期将继续推动高端产品占用产能。因此，无论是 NAND 闪存还是 DRAM，这一轮涨价周期的持续时间很可能延长到 2026 年。如果没有突发性需求崩塌，价格短期难以回落。
    对于企业采购与终端消费者而言，这意味着 SSD、内存条、嵌入式存储等产品的价格趋势已经非常明确：不是等价格下来，而是越等越贵。如果正在计划升级设备、扩容服务器或采购批量存储，现在可能反而是“低点”。从全球供应链到个人装机用户，都将在这一波 AI 驱动的存储超级周期中感受到实实在在的压力。

                                                                                                       文章归原作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系本部删除！