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    半导体制造的起点是硅片。硅是一种常见的元素，广泛存在于自然界中。然而，用于芯片制造的硅必须经过高度提纯，以确保其纯度达到99.9999%以上。提纯后的硅被加工成直径可达数英寸的圆形硅片，这些硅片是后续制造的基础。值得注意的是，硅片的制造通常由专业的硅片供应商完成，例如全球知名的硅片制造商日本信越化学、SUMCO等，而芯片制造企业通常从这些供应商处采购硅片用于后续的制造流程。
晶圆级制造
器件制造
在晶圆级制造阶段，电子器件（如晶体管、电阻器、电容器等）被制造在硅片上。
互连与电路集成
制造完成后，这些微小的器件需要通过金属互连（通常是铜或铝）连接在一起，形成完整的电路。互连工艺要求极高的精度，以确保电路的性能和可靠性。在现代芯片制造中，互连层的数量可以多达数十层，每一层都需要精确对准，以实现复杂的电路功能。
倾斜晶圆（Tilted Wafer）
晶圆测试（Probe）
在晶圆制造完成后，每个芯片（称为“die”）都会进行功能性测试。测试设备通过探针接触芯片上的测试点，检测其是否能够正常工作。无法通过测试的芯片会被标记为“失败”，而通过测试的芯片则进入下一步。同时，测试过程中收集的失败数据（称为“bins”）会被用于分析和改进制造工艺，提高芯片的良率。
参数测试（Param）
除了功能性测试外，还会收集晶圆级别的电气数据，以表征和改进制造工艺。这些数据包括器件的电气特性（如电流、电压、电阻等），通过对这些数据的分析，工程师可以优化制造工艺，提高芯片的性能和一致性。
封装
通过晶圆测试的芯片从晶圆中分离出来，并组装成封装件。封装不仅为芯片提供了物理保护，还通过引脚或焊点将其与外部电路连接。封装形式多样，包括传统的双列直插式封装（DIP）、球栅阵列封装（BGA）以及现代的先进封装技术，如2.5D封装和3D封装。封装过程需要精确的对准和焊接技术，以确保芯片与封装基板之间的可靠连接。
最终测试与老化测试
封装完成后，芯片将进行最终的功能性测试，以确保其在实际应用中的性能。此外，部分芯片还会接受额外的老化测试（Burn-In），在高温、高电压等恶劣条件下运行一段时间，以验证其可靠性和稳定性。老化测试能够提前发现潜在的故障，确保芯片在长期使用中的可靠性。
模块组装与测试
对于某些类型的芯片，如DRAM（动态随机存取存储器），封装后的芯片可能会被组装成模块，并进行进一步的功能和可靠性测试。模块化设计使得多个芯片可以协同工作，提高系统的性能和容量。例如，计算机内存条就是由多个DRAM芯片组装而成的模块，通过严格的测试确保其在系统中的稳定运行。
系统/SSD测试
比如对于NAND闪存芯片，它们可能会被集成到固态硬盘（SSD）或复合驱动器中，并进行性能测试。这些测试评估芯片在实际存储系统中的读写速度、数据传输稳定性等关键性能指标。随着数据存储需求的不断增长，NAND闪存芯片的性能和可靠性对整个存储系统至关重要。

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