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    半导体制造过程中，主要就是前道工艺和后道工艺。前道工艺就是通过光刻，刻蚀等工艺在晶圆上制造电路和结构；后道工艺主要就是封装。晶圆制造也就是前道工艺，典型的就是我们听到的28nm，14nm，7nm，3nm，2nm…随着曝光光源波长的缩短，可以制备出更精细的pattern，也就是更高的工艺技术。这里需要曝光机和光刻胶搭配实现。封装也非常重要，尤其对于高端芯片。封装工艺不佳直接影响良率和芯片性能。这几年出现的玻璃封装对于芯片封装将是一个较大的改变。随着半导体封装向高密度、高频、三维集成方向发展，玻璃基板因其卓越的高频特性、与硅匹配的热膨胀系数（CTE）及超高平整度，成为新一代先进封装的核心载体。而且很重要一点，硅片很难做大，这个是因为硅片的成片工艺决定的。我们一般看到的都是6寸、8寸、12寸，很难做大。但是玻璃可以做的很大，1米，甚至超过2米。大，意味着一次产出多，产能，意味着costdown。玻璃封装也是显示企业向芯片产业迈进的一个缺口。因为显示面板工艺中，大量使用glass基板，最大已经到3000mm×3320mm。所以显示企业把glass基板工艺玩的很明白，现在也正在向玻璃封装推进。

另外，说到玻璃封装我们就要聊到一项技术TGV——核心互连通道的玻璃通孔技术。

    用玻璃封装，势必有很多工艺和设计需要打通玻璃，做到上下层互联，导通。那怎么打通玻璃呢？机械法行不行？不行！机械打通因为玻璃着力点应力作用势必导致裂纹等缺陷发生，所以机械法难以实现。湿化学法？这是半导体行业常用的一项技术，剥离液、刻蚀液、显影液、强酸、强碱等。大家觉得湿化学法可以吗？在玻璃上加工微米级通孔？也不行。因为湿化学各向同性，它不会只往下蚀刻，它会整面蚀平，没法打细而深的孔。那两者配合呢？一边机械针钻“微力”下钻，一边注入湿化学品加速蚀刻。这种方法还没人用，但是肯定也存在机械应力缺陷和湿化学各向同性的问题，还有两种工艺配合的问题。

    现在主流用的是超快激光诱导深蚀刻（LIDE）技术。就是采用飞秒/皮秒激光在玻璃内部诱导可控相变，激光照射后的改性区域在后续湿法蚀刻中速率显著提升。LIDE技术就是利用激光照射glass，将玻璃通孔处诱导相变，让其在接下来的湿刻中不再各向同性，而是沿着通孔方向蚀刻速率大大加强。该技术可在20-100μm孔径下实现50：1至100：1的深宽比，侧壁粗糙度（Ra）≤0.08μm，且完全避免微裂纹。做这一块激光的国外公司和国内公司都有，国内几家主流的激光公司都有涉足。激光还有一个好处就是同时大量的照射，比如一个glass面中需要同时打1000个孔，激光工艺可以同时照射加工几千个通孔。

                                                                                                       文章归原作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系本部删除！