众所周知，芯片也就是ic是有数以万计的晶体管构成的。而这些晶体管是基于晶片来制作的，那么从晶片到制作晶体管的这一个过程是怎么样的呢？它有几大步骤呢？本篇短文就将芯片制造的几个主要步骤分享给大家。
1. 形成n衬底（四川成都半导体微组装设备公司）
高纯度的硅片（本征半导体）需要进行第1次掺杂，形成n衬底，如下图所示。
2. 热氧化
硅能够成为制造ic的一个优良材料，主要是因为硅在氧化后能得到天然的二氧化硅层，这层氧化层会在mos的制作中当作栅极绝缘层也可以作为器件之间隔离的氧化层。但是值得注意的是。归在常温条件下形成的氧化层厚度是不足以制造半导体器件的要求的。所以需要在高温下进行氧化，称为热氧化，如下图所示。（成都半导体微组装点胶设备）
3. 掩模
5.显影
7.扩散
8.金属化
在光刻胶去除以后就可以进行气相沉积得到金属薄膜，如下图所示。
金属薄膜在再次涂上光刻胶后，进行掩模照相形成铝接触。这些金属薄膜就是实际电路的连线。如下图所示。
更多的四川半导体微组装设备资讯请联系：18980821008（张生）19382102018（冯小姐）
四川省微电瑞芯科技有限公司http://www.wdrx-semi.com/
