这张图是一个外媒做，标题是China  Domestic WFE Capability For Advanced  Logic (7nm)

就针对这张图，我们边学半导体设备专用单词边科普工艺。

前篇我们谈了简易难度

然后中等难度下就更多了，作者列举了。

SEM，E-Beam Inspection/Metrology；Isotropic Etch，High Aspect Ratio Etch；Coater/Developer （Track）; Ion Implant Epitaxial Growth，ALD，以及KrF Lithography Scanners等。

SEM，E-Beam Inspection/Metrology，电子束检测设备，这个前面讲检测行业说过了就不说了。

Isotropic Etch，叫各向同性刻蚀，作者居然把这种工艺分这么细，这东西在DRAM制程上挺多的，这个也叫高选择比刻蚀。

在各向异性/同性刻蚀，是指刻蚀沿着不同晶硅格方向，同性刻蚀，可以理解往横轴方向了，各项异性是往垂直方向。

这些东西特别是在存储制程上特别常见。

然后加下来，High Aspect Ratio Etch，高纵横比刻蚀，也就是高深宽比刻蚀。

这个在NAND上打深孔常见刻蚀工艺，什么1:40，1:60，就是指这些，之前市场火爆关注艾麦可进Y家的预期，好像也是这个原因。

所以这个作者把存储上用的常见两大刻蚀制程，高选择比和高深宽比给你们分这么细，我是真没想到，看来老外也是非常关注，国内存储厂的国产设备进度。

当然国内包括那乌拉，艾麦可，以及维族女婿他们公司这个领域三家比较强。

Coater/Developer （Track），这个就是涂胶显影，国内有且只有一家大哥，就是葬的好。

借用咔嚓的原话，Track 这东西看似简单，但是这么多年了，国内似乎也没第二家说自己做的特别好，看来，这东西里面还有很多门道。

大家可以理解成Track 设备会针对不同的光刻胶性能参数做微调，实际上属于半定制设备。

所以这东西还是需要很深的积累，是需要和客户FAB那端反复磨出来的！

Ion Implant，就是离子注入机，这个没啥好说的，国内基本就是凯世通与48的中科信。

离子注入机，主要就是高束流（High Current），中束流（Medium Current），高能量（High Energy），低能量（Low Energy）等，此外在碳化硅行业有个很特殊的叫高温离子注入（High Temperature）。

不过我想说的是离子注入这个东西在这个半导体设备（四川半导体设备厂家有哪些？）行业属于几乎没有增长的那部分，目前仅仅只占了3%-4%左右，还不如湿法和CMP的行业规模大。

深入其原因，第一是离子注入的工艺比较少，一个FAB也用不了多少台，不算产能瓶颈设备，第二是现在有其他工艺能替代离子注入的掺杂，特别是在存储制程上，所以就挺尴尬的。

Epitaxial Growth，就是长外延设备，这里应该主要是指硅的外延设备（四川外延设备供应商有哪些）， 常见就是外延炉，这东西小尺寸硅外延炉早国产化了，12英寸的硅外延设备也不难。

难点是啥？特殊的外延设备，比如锗硅外延，这东西应材卖5000多万人民币一台，各位就知道这东西有多难了。

锗硅外延常见14nm以下工艺里，是国产设备（成都半导体设备供应商有哪些？）急需突破的一大难点！

国内工程师们加油！

ALD，这又是一种常见的薄膜沉积类设备，叫原子层沉积。

然后这个领域又分好多种不同的工艺类型的设备，比如单片的，炉管的，还有等离子增强型的PEALD。

单片式国外大哥就是ASMi，国内就是老三和微导，这种常见沉积HFO2，还有其他High-K材料。

炉管式国外就是KE和TEL，KE就是之前的日立国际电气，后面美国资本巨头KKR花了2517亿日元从日立手里买下，再经过拆分重组运营后变成现在的KE，Kokusai，科意，去年10月再在日本IPO上市。

国内就是那乌拉和维族女婿他们做这个。

炉管式对应工艺是TaN 和TiN，TaN和TiN是非常非常重要的缓冲层，包裹在各种金属线的结构外面，这些都需要炉管式ALD设备来实现。

前文提到的，除了离子注入做掺杂之外，ALD也能一定程度上起到类似的作用，定向的长薄膜的时候进行掺杂改变其电学参数，所以我说现在离子注入设备天花板比较低了。

最后一个KrF Lithography Scanners，这个是248nm的光刻机，这个不多说了。

KrF的光刻机，大致对应180-90nm工艺，在8英寸以及早期12英寸工艺上比较常见。

当然了，现在也有改良过后的针对12英寸先进工艺中端金属层的KrF 光刻机，别说KrF了，还有i-line的12英寸光刻机呢！

这些作者都归为有可能替代，也比较中肯，确实国内突破很多了。

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