Cu-pillar是使用 TCFC（热压倒装芯片）技术将芯片倒装到封装（四川半导体封装设备有哪些？）基板上时使用的端子。Cu-pillar形成在芯片的铝电极焊盘上。由于芯片上集成的焊盘间距细小，引脚数增加，Cu-pillar互连的需求量也随之增加。

在晶圆端，相较于Solder Bump，Cu-pillar Bump具有Fine Pitch的优势，芯片尺寸可缩小约5~10%实现更小的封装结构，利用Fine Pitch及Bump on Trace制程，并采用简化基板制程，可将基板层数由6层减少至4层，因此基板成本可下降约30%。

它的优势有：

·细间距可达到30μm，TSV和CoC硅片封装间距极细，低至 30 μm

·出色的电迁移性能，适合高电流承载能力应用

·在铜柱凸块之前进行晶圆级电气测试

·能兼容专为引线键合而设计的芯片键合焊盘/间距和焊盘金属化，从而能够快速将芯片转换为倒装芯片

·通过减少基板层数，许多设计可以降低成本

·对于高凸块密度设计，与金柱凸块相比，细间距倒装芯片 (FPFC) 互连的成本更低

·提供各种铜柱结构，包括铜条类型、标准铜柱、细间距铜柱和微凸块。

·可提供重新钝化或不重新钝化

·符合先进硅节点 Low-k 器件的要求

·可实现更严格的芯片到封装（四川平行封焊机）设计规则/更小的封装尺寸

1.Cu-pillar Structure

2.Copper Pillar电镀工艺

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