中芯国际指出，随着半导体器件尺寸的不断减小，半导体器件单元从传统的CMOS器件发展到鳍式场效应晶体管（FinFET）的领域。但是随着物理尺寸的进一步降低，FinFET已经不能够满足需求了。目前环栅结构（Gate-all-around,GAA）纳米线晶体管已经得到研究者的青睐。这种环栅结构能够进一步增大沟道载流子迁移速率，同时结构体积可以进一步缩小。形成环栅结构时，纳米线需要先用牺牲层替代，后续除去牺牲层后，再形成金属环栅结构。形成源/漏凹槽后，需要刻蚀部分牺牲层以形成内部凹槽，进而在内部凹槽中形成内部隔离结构。目前，一次形成内部隔离结构时，源/漏凹槽容易被堵塞，影响最终的晶体管性能。亟须一种源/漏凹槽不会被堵塞的鳍式场效应晶体管的形成方法，因此提出了上述专利。

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