随着DRAM半导体库存降至历史新低，分析人士指出，7年来首个“半导体超级周期”正在加速到来。近期，受AI热潮推动的HBM（高带宽存储器）需求激增、英伟达的供应商选择以及特朗普政府关税政策的影响，全球存储半导体产业发生了快速变化。然而，各种迹象均表明，DRAM需求正在上升，供应趋紧，市场预期这一长期超级周期可能会持续数年。
    根据市场调研机构TrendForce的数据，截至今年第三季度末，全球DRAM供应商的平均库存为3.3周，创历史新低。这与2018年半导体超级周期期间的3至4周平均库存水平相近。虽然DRAM买家的平均库存大约有10周，但市场需求依旧强劲。
    这波需求激增的起点在于AI。随着AI热潮兴起，英伟达用于AI训练和推理的加速器价值水涨船高，带动了安装在这些加速器中的HBM需求急剧上升。HBM通过像公寓一样堆叠和封装DRAM而成。三星电子等存储半导体公司已将部分DRAM生产线转向HBM，导致整体DRAM产量下降。此外，2017年至2018年间大规模建设的数据中心如今已进入服务器更换周期，进一步推动了这些服务器所需的通用型DRAM需求。同时，服务器中与DRAM一同搭载的企业级SSD（eSSD）需求也在飙升。
    面对供应短缺，半导体企业并未急于提升产量，而是坚持长期投资。一位科技行业人士表示：“存在太多不确定性，比如特朗普发起的关税政策，因此我们从长期角度看待产能投资。”随着中国的长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）进入HBM市场，DRAM产能已难以无限制扩张。
    随着供应赶不上需求，价格持续上涨。根据TrendForce 29日的数据，通用产品“DDR4 8Gb”的价格不断上升，达到6.350美元，创下今年新高。“DDR5 16G”的价格为7.535美元，较年初上涨超过40%。据报道，三星电子和SK海力士计划将DRAM价格较此前水平进一步上调。
    这种局面预计将在一段时间内延续。摩根士丹利预测，本轮半导体周期的高峰将在2027年到来，且繁荣期将持续一年以上。证券业界预计，三星电子和SK海力士今年第三季度的营业利润将突破10万亿韩元。KB证券分析师金东元表示：“三星电子被认为是半导体景气周期中最大的受益者，因为通过扩建平泽工厂，它能够在HBM、DRAM和NAND领域获得行业内最大的产能。”
   存储半导体的短缺，反而在某种程度上成为对抗特朗普政府半导体关税的“武器”。一位科技行业人士表示：“如果特朗普设定高额半导体关税，美国企业在DRAM需求本就不足的情况下，将不得不以更高价格采购。”

                                                                                                     文章归原作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系本部删除！