一、IGBT是什么IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）单管是功率半导体领域的关键器件，兼具 MOS

在半导体封装领域，引线键合（Wire Bonding）是将芯片内部电路与外部封装引脚连接的关键工艺，广泛应用于分立器件、LED、三极管等中低端芯片封装。近年来，

作为一种用于 CIS-TSV 技术过程中的关键材料，高温键合胶在作为玻璃与 CIS 芯片之间的粘合层方面扮演着重要角色。对于 CIS 晶圆而言，像素区域

TSV技术正在朝着更高的密度和更大的深宽比方向发展，为先进的半导体集成提供了显著优势。高密度、高深宽比的TSV能够提高互连密度，促进更薄的interpo

金铝键合失效是电子元器件常见的失效模式之一。对某型号射频芯片和检波器两例产品开展了失效分析研究。结果表明，一例失效产品出现了键合丝脱落的情况，一例失效产

在我们手中的智能手机和电脑核心，躺着一块精密的芯片。芯片的核心，是数十亿个名为“晶体管”的微观开关。这些开关的快速开合，编织出了我们所有的数字世界。而控

近年来，随着5G、人工智能和物联网等先进技术的发展，半导体封装的重要性进一步凸显。这些技术对半导体器件提出了更高的要求，包括尺寸更小、速度更快和能效更高

在芯片里，各种不同的绝缘介质材料，通过其独特的介电常数默默调控着电场分布，最终决定着晶体管的效率和芯片的性能。从经典的二氧化硅到革新的高K材料，每一种介

遵循摩尔定律，集成电路中晶体管尺寸的持续缩小——微芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番——是一项非凡的工程壮举，突破了基础物理学的极限。晶体管是关键元件，它通过开

SiC （碳化硅） 材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC 材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。