铜成为电镀工艺形成互联
在现代芯片中,数以百亿计的晶体管需要被错综复杂的金属导线连接起来,才能协同工作,迸发出强大的计算能力。这其中,铜成为了搭建这些“纳米级高速公路”的首选材
在现代芯片中,数以百亿计的晶体管需要被错综复杂的金属导线连接起来,才能协同工作,迸发出强大的计算能力。这其中,铜成为了搭建这些“纳米级高速公路”的首选材
在失效分析领域,X射线衍射(XRD)、拉曼光谱学、扫描探测显微镜(SPM)、SEM、共焦显微镜与XPS作为核心技术手段,各自凭借独特的物理机制与检测优势,在材料
高温时的热能使氧分子移动更快,氧化速度越快,但氧化依旧无法达到CVD的速率。因此氧化工艺通常是批量生产,使用卧式或立式炉管,可同时处理50-200片。氮
封装基板作为半导体封装的载体,为芯片提供电连接、保护、支撑和散热。受到电、热、尺寸、功能性以及周期成本的综合驱动,封装基板向着薄厚度、高散热性、精细线路
IC封装基板是芯片封装环节的关键材料。IC封装基板又称IC载板,是集成电路(IC)在一级封装过程中的关键载体,与晶片、引线等经过封装测试后共同组成芯片,
后端金属连接要选择Cu而不选择AL(其实最好的金属是金,不管是导电率还是其他性能,但是金太贵了)的原因:为什么Cu(铜)连接要使用大马士革工艺。我们今天
背面研磨(Back Grinding)是半导体制造中连接前端工艺与后端封装的关键步骤。发生在晶圆完成前端电路制造(如光刻、掺杂、薄膜沉积等)后,切割工序
相对于块体材料,膜一般为二维材料。薄膜和厚膜从字面上区分,主要是厚度。薄膜一般厚度为5nm至2.5μm,厚膜一般为2μm至25μm,但厚度并不是区分薄膜
半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封测是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。 封装过
在几千年的文明史里,人类一直在和光打交道。无论是古人用水晶球点火,还是科学家用望远镜窥探宇宙,背后都有一个不变的主角——透镜。今天,我们就来聊聊透镜的“
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