SiC （碳化硅） 材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC 材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。

堆叠封装（Stacked Packaging），是一种将多个芯片垂直堆叠在一起，通过微型互连方式（如TSV、RDL、微凸点等）实现高密度集成的封装技术。

遵循摩尔定律，集成电路中晶体管尺寸的持续缩小——微芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番——是一项非凡的工程壮举，突破了基础物理学的极限。晶体管是关键元件，

光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状

目前，湿法清洗技术仍是半导体表面清洗的主流工艺。然而，随着晶圆制造技术不断进步，晶圆微结构的纵横比不断增大、复杂性不断提升，传统湿法清洗技术的局限性日益

在芯片制造的纯净世界里，每一立方厘米的空气都经过精心调控。而在这个极致洁净的环境中，氮气（N₂）——这种占据我们呼吸空气78%的普通气体，却扮演着比任何

光刻工艺是集成电路制造的核心环节，其图形转移的精度直接决定芯片的性能和良率。在光刻过程中，常见的图形缺陷主要包括桥连、断线和形貌失真三类。这些缺陷往往由

浸入式退火是半导体制造中一项关键工艺。它通过精确的温度控制，解决了离子注入后材料活化的难题，成为早期CMOS器件性能突破的核心技术之一。该工艺不仅提升了

三维晶圆级扇出型封装产品采用了裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备、三维堆叠等新工艺，其工艺不同于传统平面键合和倒装焊封装，也不同于键合形

在传统的信号链设计中，我们常常面临一个两难的选择：对于低频信号，我们倾向于选择线性度和分辨率极高的Σ-Δ架构ADC，但必须接受其较大的延迟；而对于交流信