3D封装,全产业链缺一不可
3D封装成大势所趋,技术挑战不容小觑随着芯片微缩愈加困难,而市场对芯片高性能的追逐不减,业界开始探索在封装领域寻求突破,所以这几年,诸如2.5D/3D的先进IC
3D封装成大势所趋,技术挑战不容小觑随着芯片微缩愈加困难,而市场对芯片高性能的追逐不减,业界开始探索在封装领域寻求突破,所以这几年,诸如2.5D/3D的先进IC
在电路设计中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电
近日,我国中科院上海光学精密机械研究所在光存储技术上取得重大突破,在信息写入和读出的过程中突破了光衍射极限的限制,存储容量是普通光盘的上万倍、普通硬盘的上百倍。
作为电子工程师,相信大家都对MOSFET不会陌生。工程师们要选用某个型号的 MOSFET,首先要看的就是规格书-datasheet,拿到 MOSFET 的规格-
摘要:随着人工智能 ( AI )和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI 芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、
摘要:塑封器件具有体积小、成本低的优点,逐步替代气密性封装器件,广泛地应用于我国军用产品中。军用塑封SIP(System In Package)产品集成度高、结
在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱
固体中电子的能量分布是离散的,电子都分布在不连续的能带(Energy Band)上,价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带宽度(Energy Gap
摘要:通过采用单因素试验方法,研究了金丝球焊键合过程中超声功率、超声时间、超声压力和加热台温度对于键合强度的影响,分析了各个参数对金丝键合强度的影响规律,给出了
1.从砂子到硅片。(四川成都半导体微组装设备公司)所谓“半导体”,是一种导电性能介于“导体”和“绝缘体”之间的物质总称。导体能导电,比如铁铜银等金属,绝缘体不导
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