大约从20年前开始，针对电力传输线使用超导体以取代传统的铜或铝导体，业界开始产生浓厚的兴趣、兴奋、炒作，并承诺这种超导电力线很快地将会出现，从而大幅降低损耗。根

氮化镓(GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (

IGBT半桥逆变电路工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电流波形如图1所示，Lσ代表整个换流回路（条纹区域内）所有的杂散电感之和（电容器，母排，IGBT模块

5月14日消息，据外媒报道称，高通已经证实，华为不需要他们的处理器了。（四川半导体设备）据报道，在正式吊销出口许可之前，高通 CFO 已明确表示，预计明年来自华

摘要:金丝键合工艺广泛应用于红外探测器的封装环节。实验选用25μm 金丝,基于正交试验法,根据键合拉力值确定键合的最佳工艺参数。通过优化超声压力、超声功率、超声

（一）IGBT双脉冲测试的意义（四川半导体设备）对比不同IGBT的参数及性能；获取IGBT开通和关断过程的参数；评估驱动电阻是否合适；开通和关断过程是否有不合适

功率器件的注入掺杂主要指的是在制造过程中，通过向材料（如碳化硅）中注入特定类型的杂质原子（如硼、磷等），来改变其电学性质，从而满足特定的器件性能需求。这种掺杂过

MOS管不同于三极管，它属于电压控制型器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中，也是需要电流的，这是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs以及Cd

半导体半导体( semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。例如，广泛使用的二极管就是

IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一