3D封装,全产业链缺一不可
3D封装成大势所趋,技术挑战不容小觑随着芯片微缩愈加困难,而市场对芯片高性能的追逐不减,业界开始探索在封装领域寻求突破,所以这几年,诸如2.5D/3D的先进IC
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在电路设计中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电
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摘要:通过采用单因素试验方法,研究了金丝球焊键合过程中超声功率、超声时间、超声压力和加热台温度对于键合强度的影响,分析了各个参数对金丝键合强度的影响规律,给出了
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碳化硅(SiC),碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率高功率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高
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